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掃描電子顯微鏡（簡(jiǎn)稱(chēng)掃描電鏡，SEM）是繼透射電鏡之后發(fā)展起來(lái)的一種電鏡。與透射電鏡的成像方式不同，掃描電鏡是用聚焦電子束在樣品表面逐點(diǎn)掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號(hào)可以是二次電子（被入射電子轟擊出來(lái)的樣品核外電子）、背散射電子（被固體樣品中原子反射回來(lái)的一部分入射電子）或吸收電子。其中二次電子為主要的成像信號(hào)。現(xiàn)以二次電子像的成像過(guò)程來(lái)說(shuō)明掃描電鏡的工作原理。由電子槍發(fā)射的能量為5-35KeV的電子，以其交叉斑作為電子源，經(jīng)二級(jí)聚光鏡及物鏡的縮小形成

具有一定能量、一定束流強(qiáng)度和束斑直徑的微細(xì)電子束，在掃描線(xiàn)圈驅(qū)動(dòng)下，于試樣表面按一定時(shí)間、空間順序作柵網(wǎng)式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產(chǎn)生二次電子發(fā)射（以及其他物理信號(hào)），二次電子發(fā)射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號(hào)被探測(cè)器收集轉(zhuǎn)換成電訊號(hào)，經(jīng)視頻放大后輸入到顯像管柵極，調(diào)制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線(xiàn)性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢(shì)壘。認(rèn) 為肖特基勢(shì)壘像?。冢睿稀∥⒔Y(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢(shì)壘。晶粒邊界 上的負(fù)表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來(lái)補(bǔ)償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機(jī)制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢(shì)壘的晶粒邊界缺陷模型在改進(jìn) 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進(jìn)展。

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